고속 스위칭 칩1 SiC vs GaN: 차세대 전력반도체 기술 전쟁의 승자는? SiC vs GaN: 차세대 전력반도체 기술 전쟁의 승자는?목차1. 전력반도체 패러다임의 대전환2. SiC – 고전압·고내열에 강한 산업용 에이스3. GaN – 고속 스위칭과 소형화의 절대 강자4. SiC와 GaN의 기술 스펙 비교5. 산업 수요로 보는 적용 영역6. 글로벌 기업들의 전략과 투자7. 투자자는 어디에 주목해야 하나?8. 2025년 이후 전력반도체 시장의 방향 1. 전력반도체 패러다임의 대전환전력반도체는 전기를 변환·제어·공급하는 모든 전자기기의 핵심 부품이다.과거에는 실리콘(Si) 기반 반도체가 주류였지만, 이제는 에너지 효율성과 고속 스위칭 성능이 뛰어난 화합물 반도체가 대세로 부상 중이다.이 중에서도 대표적인 기술이 바로 SiC(Silicon Carbide)와 GaN(Gallium Ni.. 2025. 8. 6. 이전 1 다음
